دیتاشیت RS1G180MNTB
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
RS1G180MNTB
|
| حجم فایل |
75.912
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
13
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
ROHM Semicon RS1G180MNTB
-
Power Dissipation (Pd):
3W;30W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
19.5nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
40V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
1293pF@20V
-
Continuous Drain Current (Id):
18A;80A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2.5V@1mA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
7mΩ@18A,10V
-
Package:
HSOP-8
-
Manufacturer:
ROHM Semicon
